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AUIRF3205
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.670 |
| 10+ | CHF 2.710 |
| 100+ | CHF 1.730 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRF3205
Bestellnummer3775933
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001519502, AUIRF3205
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id75A
Drain-Source-Durchgangswiderstand8000µohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung200W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
75A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8000µohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung