Seite drucken
AIMZHN120R160M1TXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMZHN120R160M1TXKSA1
Bestellnummer4335798
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsAIMZHN120R160M1T, SP005732434
Technisches Datenblatt
152 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 7.410 |
| 5+ | CHF 6.410 |
| 10+ | CHF 5.390 |
| 50+ | CHF 4.940 |
| 100+ | CHF 4.490 |
| 250+ | CHF 4.400 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 7.41 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMZHN120R160M1TXKSA1
Bestellnummer4335798
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsAIMZHN120R160M1T, SP005732434
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.1V
Verlustleistung109W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.2ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.1V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
109W
Produktpalette
CoolSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung