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AIMDQ75R008M1HXUMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMDQ75R008M1HXUMA1
Bestellnummer4295098RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMDQ75R008M1H, SP005931682
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 20.760 |
| 50+ | CHF 19.670 |
| 100+ | CHF 18.570 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMDQ75R008M1HXUMA1
Bestellnummer4295098RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMDQ75R008M1H, SP005931682
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id173A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0106ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung625W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
173A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0106ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
625W
Produktpalette
CoolSiC Gen I Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0013
Produktnachverfolgung