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G3R160MT12J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | |
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| 5+ | CHF 5.600 |
| 10+ | CHF 5.300 |
| 50+ | CHF 4.930 |
| 100+ | CHF 4.620 |
| 250+ | CHF 4.450 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerGENESIC
HerstellerteilenummerG3R160MT12J
Bestellnummer3598649
ProduktpaletteG3R
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.69V
Verlustleistung128W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.69V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
128W
Produktpalette
G3R
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001393