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STP12NM50
MOSFET de puissance, Canal N, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP12NM50
Code Commande1291980
Gamme de produitSTP
Fiche technique
1’899 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.130 |
| 10+ | CHF 2.360 |
| 100+ | CHF 2.330 |
| 500+ | CHF 2.320 |
| 1000+ | CHF 1.830 |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP12NM50
Code Commande1291980
Gamme de produitSTP
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds550V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.35ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance160W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le STP12NM50 est un MOSFET de puissance, canal N, 500V développé en utilisant la technologie MDmesh™ révolutionnaire, qui associe le processus de drainage multiple à une disposition horizontale PowerMESH™. Ce MOSFET offre une résistance à l'état passant extrêmement basse, un dv/dt élevé et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Utilisant une technique de bande brevetée, ce MOSFET offre une performance dynamique globale supérieure. Charge de grille améliorée et dissipation de puissance réduite pour répondre aux exigences d'efficacité actuelles
- Capacités élevées de dv/dt et d'avalanche
- Faible capacité d'entrée et charge de grille
- Test Avalanche 100%
- Faible résistance d'entrée de grille
- Contrôle strict des processus et rendements de fabrication élevés
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
160W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
550V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.35ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STP
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001814
Traçabilité des produits