STGW15M120DF3
IGBT, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.460 |
| 10+ | CHF 3.270 |
| 100+ | CHF 2.650 |
| 500+ | CHF 2.340 |
| 1000+ | CHF 2.030 |
Informations produit
Aperçu du produit
The STGW15M120DF3 is a Trench gate field-stop IGBT developed using an advanced proprietary Trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
Avertissements
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Spécifications techniques
30A
259W
TO-247
175°C
-
1.85V
1.2kV
3Broche(s)
Traversant
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
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RoHS
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