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RQ7G080BGTCR
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Montage en surface
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRQ7G080BGTCR
Code Commande3976636RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id8A
Résistance Rds(on)0.0127ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0165ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1.5W
Dissipation de puissance Pd1.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Rds(on)
0.0127ohm
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.5W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0165ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance Pd
1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012