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RQ7G080BGTCR
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Montage en surface
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|---|---|
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRQ7G080BGTCR
Code Commande3976636
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0165ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8A
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0165ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012