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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 1.640 |
10+ | CHF 1.080 |
100+ | CHF 0.757 |
500+ | CHF 0.612 |
1000+ | CHF 0.571 |
5000+ | CHF 0.562 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS89161LZ
Code Commande2825190
Fiche technique
Type de canalCanal N + Schottky
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N2.7A
Courant de drain continu Id, Canal P2.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.105ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.105ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.6W
Dissipation de puissance, Canal P1.6W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N + Schottky
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
2.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.105ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.6W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
2.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.105ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
1.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004