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Transistors MOSFET Double:
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Type de canal
Tension Drain Source Vds, Canal N
Tension Drain-Source Vds
Tension drain source Vds, Canal P
Courant de drain Id
Courant de drain continu Id, Canal N
Courant de drain continu Id, Canal P
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Dissipation de puissance Canal P
Température d'utilisation Max.
Qualification
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
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| Comparer | Prix pour | Quantité | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ CHF 0.765 10+ CHF 0.548 100+ CHF 0.362 500+ CHF 0.279 1000+ CHF 0.252 Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | Canal P | 60V | - | 60V | - | 7.8A | 7.8A | 0.105ohm | 0.105ohm | SOIC | 8Broche(s) | 1.2W | 1.2W | 150°C | AEC-Q101 | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ CHF 0.362 500+ CHF 0.279 1000+ CHF 0.252 5000+ CHF 0.205 | Min : 100 / Mult : 1 | Canal P | 60V | 60V | 60V | 7.8A | 7.8A | 7.8A | 0.105ohm | 0.105ohm | SOIC | 8Broche(s) | 1.2W | 1.2W | 150°C | AEC-Q101 | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ CHF 1.640 10+ CHF 1.080 100+ CHF 0.757 500+ CHF 0.612 1000+ CHF 0.571 Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | Canal N + Schottky | 100V | - | 100V | - | 2.7A | 2.7A | 0.105ohm | 0.105ohm | SOIC | 8Broche(s) | 1.6W | 1.6W | 150°C | - | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 100+ CHF 0.757 500+ CHF 0.612 1000+ CHF 0.571 5000+ CHF 0.562 | Min : 100 / Mult : 1 | Canal N + Schottky | 100V | - | 100V | - | 2.7A | 2.7A | 0.105ohm | 0.105ohm | SOIC | 8Broche(s) | 1.6W | 1.6W | 150°C | - | |||||
