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2SC3649T-TD-E
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Montage en surface
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| 200+ | CHF 0.414 |
| 500+ | CHF 0.321 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2SC3649T-TD-E
Code Commande2727928
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max160V
Courant Collecteur Continu1.5A
Dissipation de puissance500mW
Type de boîtier de transistorSOT-89
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition120MHz
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
1.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-89
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
160V
Dissipation de puissance
500mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
120MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits