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IPP60R099C7XKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R099C7XKSA1
Code Commande2726067
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPP60R099C7, SP001298000
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.700 |
| 10+ | CHF 3.660 |
| 100+ | CHF 2.610 |
| 500+ | CHF 2.150 |
| 1000+ | CHF 1.800 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R099C7XKSA1
Code Commande2726067
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPP60R099C7, SP001298000
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id22A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.099ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance110W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Transistor de puissance 600V CoolMOS™ C7, une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance haute tension. Conçu selon le principe de superjonction (SJ) convient pour une utilisation dans les étages PFC et les étages PWM (TTF, LLC) pour SMPS haute puissance/performance, par ex. en informatique, serveur, télécom, onduleur et solaire.
- Convient pour la commutation dure et douce (PFC et LLC haute performance)
- Augmente la robustesse du MOSFET dv/dt à 120V/ns
- Meilleure efficacité grâce au meilleur de sa catégorie RDS(on) *Eoss et RDS(on)*Qg
- Meilleur RDS(on)/package de sa catégorie
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (J-STD20 et JESD22)
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
22A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
110W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.099ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS C7
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits