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DMHT10H032LFJ-13
MOSFET double, Canal N
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.580 |
| 500+ | CHF 1.310 |
| 1000+ | CHF 1.230 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 163.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMHT10H032LFJ-13
Code Commande3589313RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Courant de drain Id6A
Tension Drain-Source Vds100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance900mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
100V
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
900mW
Gamme de produit
-
Courant de drain Id
6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits