Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
2’486 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 2.390 |
10+ | CHF 1.780 |
100+ | CHF 1.600 |
500+ | CHF 1.290 |
1000+ | CHF 1.210 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.39 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMHT10H032LFJ-13
Code Commande3589313
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Courant de drain Id6A
Tension Drain-Source Vds100V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N6A
Résistance Rds(on)0.025ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Courant de drain continu Id, Canal P-
Tension de test Rds(on)10V
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.033ohm
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance Pd900mW
Dissipation de puissance900mW
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorDFN5045
Nbre de broches12Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P900mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Tension Drain-Source Vds
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance
900mW
Type de boîtier de transistor
DFN5045
Dissipation de puissance Canal P
900mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
0
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Tension drain source Vds, Canal P
-
Résistance Rds(on)
0.025ohm
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.033ohm
Dissipation de puissance Pd
900mW
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
12Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits