Imprimer la page
TSHG5510
Emetteur infrarouge, Haute vitesse, 830 nm, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSHG5510
Code Commande1779675
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.680 |
| 10+ | CHF 1.000 |
| 25+ | CHF 0.898 |
| 50+ | CHF 0.794 |
| 100+ | CHF 0.691 |
| 500+ | CHF 0.636 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.68 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSHG5510
Code Commande1779675
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Longueur d'onde crête830nm
Angle de demi-intensité38°
Type de boîtier de diodeT-1 3/4 (5mm)
Intensité rayonnée15mW/Sr
Temps de montée15ns
Temps de descente15ns
Courant, If moy.100mA
Tension Vf Max.1.45V
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Normes Qualification Automobile-
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Longueur d'onde crête
830nm
Type de boîtier de diode
T-1 3/4 (5mm)
Temps de montée
15ns
Courant, If moy.
100mA
Température d'utilisation min
-40°C
Normes Qualification Automobile
-
MSL
-
Angle de demi-intensité
38°
Intensité rayonnée
15mW/Sr
Temps de descente
15ns
Tension Vf Max.
1.45V
Température d'utilisation Max.
85°C
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour TSHG5510
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454
Traçabilité des produits