HMC1121LP6GE

Le HMC1121 est un circuit arséniure de gallium (GaAs) à trois étages, un transfert pseudomorphique haute mobilité électronique (pHEMT), un circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), un amplificateur de puissance 4W avec un détecteur de puissance intégré sur puce à compensation de température. Celui-ci présente une excellente linéarité et il est optimisé pour les systèmes radio haute capacité, point à point et point à multipoint. La configuration de l'amplificateur et son gain élevé en font un excellent candidat pour l'amplification du signal du dernier étage précédant l'antenne. Les applications sont les radios point à point, les radios point à multipoint, les terminaux à très petite ouverture (VSAT) et les communications par satellite (SATCOM), la guerre électronique militaire (GE) et les contre-mesures électroniques (ECM).

• Puissance de sortie saturée élevée de 36,5dBm (typique, à 30% de PAE, TA = 25°C)
• Interception de troisième ordre à haut rendement de 44dBm (typ, mesure prise à POUT/tonalité = 28dBm)
• Gain élevé de 28dB (typique)
• Puissance de sortie élevée pour une compression de 1dB (P1dB) 36dBm (typ, TA = 25°C)
• Courant total de 2 200mA (typ, TA = 25°C VDD = VDD1 = VDD2 = VDD3 = VDD4 = 7V)
• Point d'interception du troisième ordre de 43dBm (typ, mesure prise à POUT/tone = 28dBm)
• Tension d'alimentation de 5 à 7.5V (TA = 25°C, VDD = VDD1 = VDD2 = VDD3 = VDD4 = 7V)
• Boîtier LFCSP 40 broches, Plage de température de -40°C à +115°C

Remarques

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