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FMMT717TA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFMMT717TA
Bestellnummer3127396RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo12V
DC-Kollektorstrom2.5A
Dauerkollektorstrom2.5A
Verlustleistung Pd625mW
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz110MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.45hFE
DC-Stromverstärkung hFE45hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
12V
Dauerkollektorstrom
2.5A
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
110MHz
DC-Stromverstärkung hFE
45hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
DC-Kollektorstrom
2.5A
Verlustleistung Pd
625mW
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
45hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000197
Produktnachverfolgung