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DSS3515MQ-7
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 1000+ | CHF 0.0456 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDSS3515MQ-7
Bestellnummer3405134RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung1W
Bauform - TransistorX1-DFN1006
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz340MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.90hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
X1-DFN1006
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
90hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
1W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
340MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung