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DMTH15H017SPS-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.014 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH15H017SPS-13
Bestellnummer3589211
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.510 |
| 10+ | CHF 1.150 |
| 100+ | CHF 0.795 |
| 500+ | CHF 0.632 |
| 1000+ | CHF 0.619 |
| 5000+ | CHF 0.605 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH15H017SPS-13
Bestellnummer3589211
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id61A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.014ohm
Bauform - TransistorPowerDI5060
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung107W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
61A
Bauform - Transistor
PowerDI5060
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
107W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.014ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung