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DMP58D0LFB-7
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0838 |
| 1000+ | CHF 0.0746 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP58D0LFB-7
Bestellnummer3943810RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand6ohm
Bauform - TransistorX1-DFN1006
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung470mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
180mA
Bauform - Transistor
X1-DFN1006
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
470mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001