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BS250FTA
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBS250FTA
Bestellnummer1843731
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id90mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand14ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung330mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BS250FTA ist ein vertikaler -45V-p-Kanal-DMOS-FET (Anreicherungstyp) mit einem Widerstand von 9 Ohm und einer Verlustleistung von 330mW.
- Qualifiziert gemäß AEC-Q10x
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio, Fahrzeugelektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
330mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
14ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung