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BC857BFZ-7B
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBC857BFZ-7B
Bestellnummer3943106
ProduktpaletteBC857 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.553 |
| 10+ | CHF 0.341 |
| 100+ | CHF 0.219 |
| 500+ | CHF 0.153 |
| 1000+ | CHF 0.124 |
| 5000+ | CHF 0.110 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBC857BFZ-7B
Bestellnummer3943106
ProduktpaletteBC857 Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung925mW
Bauform - TransistorX2-DFN0606
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz270MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC857 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
X2-DFN0606
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
BC857 Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
925mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
270MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung