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BC856BQCZ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856BQCZ
Bestellnummer3884231RL
ProduktpaletteBC856xQC Series
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo65V
DC-Kollektorstrom100mA
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung450mW
Verlustleistung Pd450mW
Bauform - TransistorDFN1412D
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.220hFE
DC-Stromverstärkung hFE220hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC856xQC Series
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
65V
Dauerkollektorstrom
100mA
Verlustleistung Pd
450mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
DC-Stromverstärkung hFE
220hFE
Produktpalette
BC856xQC Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
DC-Kollektorstrom
100mA
Verlustleistung
450mW
Bauform - Transistor
DFN1412D
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
220hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Produktnachverfolgung