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WNSC2D201200WQ
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.170 |
| 5+ | CHF 6.880 |
| 10+ | CHF 5.600 |
| 50+ | CHF 5.150 |
| 100+ | CHF 3.820 |
| 250+ | CHF 3.740 |
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2D201200WQ
Code Commande3703854
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen20A
Charge Capacitive Totale39nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHC0
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
39nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
0
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
20A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :0
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.011506