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VS-1N1186A
Module de diode, 200 V, 40 A, 1.3 V, Simple, DO-5, 2 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.110 |
| 5+ | CHF 8.230 |
| 10+ | CHF 7.330 |
| 50+ | CHF 7.170 |
| 100+ | CHF 7.010 |
| 250+ | CHF 6.850 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-1N1186A
Code Commande2547250
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen40A
Tension directe max1.3V
Configuration Module DiodeSimple
Type de boîtier de diodeDO-5
Nbre de broches2Broche(s)
Température d'utilisation Max.200°C
Courant de surtension vers l'avant800A
Type de montage de diodeGoujon
Gamme de produit-
SVHCLead (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
La VS-1N1186A est une diode de redressement en silicium de puissance offrant une bonne capacité de courant de surtension jusqu'à 1000A. Elle offre également une tension inverse de crête répétitive maximale de 200V et une tension inverse directe.
- Faible courant de fuite
- Gamme de température de jonction de -65 à + 200°C
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Tension directe max
1.3V
Type de boîtier de diode
DO-5
Température d'utilisation Max.
200°C
Type de montage de diode
Goujon
SVHC
Lead (08-Jul-2021)
Courant direct moyen
40A
Configuration Module Diode
Simple
Nbre de broches
2Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
800A
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.021092