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SUM110P06-08L-E3
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
3’474 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 2.120 |
| 250+ | CHF 2.100 |
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Minimum: 100
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUM110P06-08L-E3
Code Commande2646409RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id110A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.008ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance272W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
110A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
272W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.008ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SUM110P06-08L-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002379
Traçabilité des produits