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SQM30010EL_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 120 A, 0.00135 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 10+ | CHF 1.200 |
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| 500+ | CHF 1.140 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM30010EL_GE3
Code Commande3019156
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00135ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour SQM30010EL_GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00135ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001