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SQD30N05-20L_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| 10+ | CHF 1.230 |
| 100+ | CHF 0.855 |
| 500+ | CHF 0.681 |
| 1000+ | CHF 0.642 |
| 5000+ | CHF 0.568 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD30N05-20L_GE3
Code Commande1869909
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance-
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
30A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQD30N05-20L_GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits