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SQD25N06-22L_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, TO-252AA, Montage en surface
1’926 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.871 |
| 500+ | CHF 0.695 |
| 1000+ | CHF 0.653 |
| 5000+ | CHF 0.583 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD25N06-22L_GE3
Code Commande3470669RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.022ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance62W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
62W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.022ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits