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SQD10950E_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 250 V, 11.5 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
7’504 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.330 |
| 10+ | CHF 1.020 |
| 100+ | CHF 0.764 |
| 500+ | CHF 0.607 |
| 1000+ | CHF 0.545 |
| 5000+ | CHF 0.478 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD10950E_GE3
Code Commande3224964
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds250V
Courant de drain Id11.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.162ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance62W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
62W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
250V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.162ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0025
Traçabilité des produits