Imprimer la page
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 181.8 A, 0.00131 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.787 |
| 500+ | CHF 0.627 |
| 1000+ | CHF 0.566 |
| 5000+ | CHF 0.501 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 83.70 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS60DN-T1-GE3
Code Commande3128851RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N + Schottky
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id181.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00131ohm
Résistance Rds(on)0.00109ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance65.8W
Dissipation de puissance Pd65.8W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00131ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
65.8W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Polarité transistor
Canal N + Schottky
Courant de drain Id
181.8A
Résistance Rds(on)
0.00109ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance Pd
65.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000109
Traçabilité des produits