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SISH617DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
16’774 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.987 |
| 10+ | CHF 0.741 |
| 100+ | CHF 0.495 |
| 500+ | CHF 0.361 |
| 1000+ | CHF 0.323 |
| 5000+ | CHF 0.286 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH617DN-T1-GE3
Code Commande2932960
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id35A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0123ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance52W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
35A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
52W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0123ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISH617DN-T1-GE3
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003
Traçabilité des produits