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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA26DN-T1-GE3
Code Commande2932955RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
4’083 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
100+ | CHF 0.323 |
500+ | CHF 0.277 |
1000+ | CHF 0.250 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA26DN-T1-GE3
Code Commande2932955RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2650µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance39W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
39W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2650µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISA26DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003
Traçabilité des produits