Imprimer la page
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 60 A, 0.0049 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA01DN-T1-GE3
Code Commande2846634
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
1’565 En Stock
3’000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.950 |
| 50+ | CHF 0.714 |
| 100+ | CHF 0.485 |
| 500+ | CHF 0.383 |
| 1500+ | CHF 0.341 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 4.75 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA01DN-T1-GE3
Code Commande2846634
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0049ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance52W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
52W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0049ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISA01DN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000074
Traçabilité des produits