Imprimer la page
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
30’671 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.070 |
| 10+ | CHF 0.751 |
| 100+ | CHF 0.596 |
| 500+ | CHF 0.437 |
| 1000+ | CHF 0.392 |
| 5000+ | CHF 0.349 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.07 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS892ADN-T1-GE3
Code Commande2283695
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id28A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.027ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance52W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le SIS892ADN-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode de renforcement, canal N TrenchFET® 100VDS adapté aux applications de brique télécom, de commutation côté principal et de redressement synchrone.
- Testé 100% Rg
- Testé UIS 100%
- Capable de fonctionner avec une commande de porte de 5V
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
28A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
52W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.027ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS892ADN-T1-GE3
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00012
Traçabilité des produits