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SIS890DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.486 |
| 9000+ | CHF 0.475 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
CHF 1’458.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS890DN-T1-GE3
Code Commande4320196
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0235ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance52W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
30A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
52W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0235ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS890DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454
Traçabilité des produits