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SIR580DP-T1-RE3
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR580DP-T1-RE3
Code Commande3765820RL
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
563 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.030 |
| 500+ | CHF 0.832 |
| 1000+ | CHF 0.770 |
| 5000+ | CHF 0.731 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 108.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR580DP-T1-RE3
Code Commande3765820RL
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id146A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0027ohm
Résistance Rds(on)0.00215ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance104W
Dissipation de puissance Pd104W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Aperçu du produit
Le MOSFET 80V (D-S) canal N est généralement utilisé dans des applications telles que la rectification synchrone, le commutateur côté primaire, les convertisseurs DC/DC, les commutateurs OR et hot swap, les alimentations, le contrôle de l'entraînement du moteur et la gestion de la batterie.
- MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V
- Très faible Rds x Qi Figure de Mérite (FOM)
- Réglé pour un RDS le plus bas - Qoss FOM
- Testé à 100% Rg et UIS
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0027ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
104W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen V
Normes Qualification Automobile
-
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
146A
Résistance Rds(on)
0.00215ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Dissipation de puissance Pd
104W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR580DP-T1-RE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits