SIHP33N60E-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-220AB, Traversant
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.480 |
| 10+ | CHF 4.450 |
| 100+ | CHF 2.960 |
| 500+ | CHF 2.490 |
| 1000+ | CHF 2.450 |
Informations produit
Aperçu du produit
MOSFET de puissance Série E adapté pour une utilisation dans les alimentations de serveur et de télécommunications, les alimentations à découpage (SMPS), les alimentations à correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage (décharge à haute intensité (HID), éclairage de ballast fluorescent), industriel (soudage, chauffage par induction, entraînements de moteurs, chargeurs de batteries, énergies renouvelables et solaire (onduleurs PV).
- Faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qi
- Faible capacité d'entrée (Ciss)
- Réduction des pertes de commutation et de conduction
- Charge de grille ultra-faible (Qi)
- Énergie avalanche (UIS)
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
33A
TO-220AB
10V
278W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
600V
0.099ohm
Traversant
2V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHP33N60E-GE3
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
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RoHS
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Certificat de conformité du produit