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SIHB105N60EF-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
6’287 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.820 |
| 10+ | CHF 2.810 |
| 100+ | CHF 1.780 |
| 500+ | CHF 1.430 |
| 1000+ | CHF 1.420 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB105N60EF-GE3
Code Commande3365527
Gamme de produitEF IV Gen
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id29A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.102ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance208W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitEF IV Gen
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
29A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
208W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.102ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHB105N60EF-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits