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SIHA12N60E-E3
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 50+ | CHF 1.320 |
| 150+ | CHF 1.290 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 50
Multiple: 50
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA12N60E-E3
Code Commande4320209
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.38ohm
Type de boîtier de transistorTO-220F
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance33W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-220F
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
33W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.38ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits