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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA11N80E-GE3
Code Commande2932902
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.44ohm
Type de boîtier de transistorTO-220FP
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance34W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-220FP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
34W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.44ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHA11N80E-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003
Traçabilité des produits