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SI7619DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
14’909 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.376 |
| 500+ | CHF 0.293 |
| 1000+ | CHF 0.265 |
| 5000+ | CHF 0.218 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7619DN-T1-GE3
Code Commande2889718RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id24A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance27.8W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
24A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
27.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits