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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4896DY-T1-GE3
Code Commande2454806
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id6.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0135ohm
Type de boîtier de transistorNSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance1.56W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6.7A
Type de boîtier de transistor
NSOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.56W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0135ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4896DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000117
Traçabilité des produits