Imprimer la page
SI4559ADY-T1-E3
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
106 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.670 |
| 10+ | CHF 1.160 |
| 100+ | CHF 0.916 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.67 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4559ADY-T1-E3
Code Commande1684055
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P60V
Courant de drain continu Id, Canal N5.3A
Courant de drain continu Id, Canal P5.3A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.046ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.046ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P3.4W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le SI4559ADY-T1-E3 est un MOSFET, canal N/P dans un boîtier pour montage en surface. Il convient aux applications d'onduleurs CCFL.
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- Testé 100% Rg et UIS
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
60V
Courant de drain continu Id, Canal P
5.3A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.046ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
3.4W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
5.3A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.046ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004