Imprimer la page
SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
25’068 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.997 |
| 10+ | CHF 0.676 |
| 100+ | CHF 0.512 |
| 500+ | CHF 0.434 |
| 1000+ | CHF 0.354 |
| 5000+ | CHF 0.317 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.00 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4463CDY-T1-GE3
Code Commande2056686
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..20V
Courant de drain Id18.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.006ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max600mV
Dissipation de puissance5W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le SI4459ADY-T1-GE3 est un MOSFET de puissance TrenchFET, -30V, Canal P Le MOSFET de puissance LITTLE FOOT® monté en surface utilise des boîtiers de circuits intégrés et de petits signaux qui ont été modifiés pour fournir les capacités de transfert de chaleur requises par les dispositifs de puissance.
- Testé 100% Rg
- Testé UIS 100%
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
18.6A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Vds max..
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.006ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
600mV
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4463CDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001588
Traçabilité des produits