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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4435DDY-T1-E3
Code Commande2101446
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id11.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.024ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI4190ADY-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode de renforcement, canal N TrenchFET® 100VDS adapté aux applications de brique DC vers DC de commutation côté principal
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
11.4A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.024ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4435DDY-T1-E3
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000225
Traçabilité des produits