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SI4214DDY-T1-GE3
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3
Code Commande2646382
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
2’671 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.759 |
| 50+ | CHF 0.540 |
| 100+ | CHF 0.369 |
| 500+ | CHF 0.342 |
| 1000+ | CHF 0.314 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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CHF 3.80 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3
Code Commande2646382
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N8.5A
Courant de drain continu Id, Canal P8.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.016ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.016ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nombre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P3.1W
Dissipation de puissance, Canal P3.1W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le SI4214DDY-T1-GE3 est un MOSFET à canal N double, dans un boîtier pour montage en surface. Il convient pour l'alimentation système des ordinateurs portables et les applications de convertisseur DC-DC faible courant.
- Sans halogène
- MOSFET de puissance TrenchFET®
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
8.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.016ohm
Nombre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
3.1W
Gamme de produit
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
8.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.016ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
3.1W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000255
Traçabilité des produits