Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
2’855 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | CHF 1.220 |
50+ | CHF 0.824 |
100+ | CHF 0.581 |
500+ | CHF 0.455 |
1500+ | CHF 0.408 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 6.10 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3483CDV-T1-E3
Code Commande1839000
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.034ohm
Type de boîtier de transistorTSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance2W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI3483CDV-T1-E3 est un MOSFET de puissance à mode d'enrichissement en canal P, TrenchFET® 30VDS, adapté aux applications de commutation de charge
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
8A
Type de boîtier de transistor
TSOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.034ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3483CDV-T1-E3
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000046
Traçabilité des produits