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SI3477DV-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Montage en surface
2’566 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.366 |
| 500+ | CHF 0.318 |
| 1000+ | CHF 0.294 |
| 5000+ | CHF 0.282 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3477DV-T1-GE3
Code Commande2889720RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0175ohm
Type de boîtier de transistorTSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance4.2W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
8A
Type de boîtier de transistor
TSOP
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
4.2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0175ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3477DV-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000159
Traçabilité des produits