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SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Montage en surface
2’150 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.445 |
| 500+ | CHF 0.351 |
| 1500+ | CHF 0.319 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3459BDV-T1-GE3
Code Commande2646376RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.216ohm
Type de boîtier de transistorTSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance3.3W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2.9A
Type de boîtier de transistor
TSOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.216ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000129
Traçabilité des produits